中国北京（2025年3月12日） —— 业界当先的半导体器件供给商德赢VWINGigaDevice（股票代码 603986）颁发推出专为1.2V SoC利用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列
。该系列产品无需借助表部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化德赢VWIN在双电压供电闪存解决规划领域的战术布局
。凭借更高的机能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决规划日益增长的需要，成为智能可穿戴设备、医疗健全、物联网、数据中心及边缘人为智能利用的梦想选择
。

GD25NE系列SPI NOR Flash的主题供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通路、双通路、四通路、双沿四通路模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz
。GD25NE系列的写入功夫典型值为0.15ms，扇区擦除功夫为30ms，其与通例1.2V单电压供电的Flash解决规划相比，数据读取机能提升了20%，写入速度提升60%，擦除功夫缩短30%
。凭借这些技术优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式利用的卓越之选
。

为进一步满足能耗敏感型利用的需要，GD25NE系列选取超低功耗设计
。其深度睡眠功耗电流低至0.2?A，在双沿四通路104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA
。与传统的1.8V Flash解决规划相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%
。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，还维持了Flash器件的高机能阐发，同时简化了SoC的系统设计
。

“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高机能与超低功耗的美满平衡，”德赢VWIN副总裁、存储事业部总经理苏如伟暗示，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效能，GD25NE系列可能满足新一代1.2V SoC持续演进的需要
。将来，德赢VWIN还将不休拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合，致力于为客户提供更高效、更靠得住、更前沿的闪存解决规划，助力创新利用的发展
。”

目前，德赢VWINGD25NE系列可提供从32Mb到256Mb的多种容量选择，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封装选项
。该系列首款产品——256Mb的GD25NE256H现已起头提供样片
。其余32Mb至128Mb容量的产品也将陆续推出
。如需相识具体信息及产品定价，请联系本地销售代表
。

关于德赢VWIN (GigaDevice)

德赢VWIN（股票代码603986）是全球当先的Fabless芯片供给商，公司成立于2005年4月，总部设于中国北京，在全球多个国度和地域设有分支机构，营销网络遍布全球，提供优质便捷的本地化支持服务
。德赢VWIN致力于构建以存储器、微节造器、传感器、模拟产品为主题驱动力的齐全生态，为工业、汽车、推算、消费电子、物联网、移动利用以及通讯领域的客户提供美满的产品技术和服务，已通过ISO26262:2018汽车职能安全最高档级ASIL D系统认证，并获得IEC 61508职能安全产品认证以及ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等系统认证和邓白氏认证
。同时，公司与多家世界驰名晶圆厂、封装测试厂成立战术合作同伴关系，共同推动半导体领域的技术创新
。欲相识更多信息，请接见：www.GigaDevice.com

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